李昂，出生于1996年6月4日，内蒙古赤峰人，中共党员，工学博士。研究方向：氮化镓基功率器件特性研究。

教育经历：

2014年8月至2018年6月就读于西安电子科技大学微电子学院，微电子科学与工程专业；2018年9月至2024年6月就读于西安电子科技大学集成电路学部，电子科学与技术专业，研究工作依托宽禁带半导体国家工程研究中心，聚焦于低阻氮化镓基功率器件的设计制备和表征分析，博士期间以第一作者身份在Applied Physics Letters、Superlattices and Microstructures、Physica Status Solidi A.等SCI期刊上发表学术论文多篇，已授权国家发明专利1项，担任Semiconductor Science and Technology、Materials Science & Engineering B、Physica Scripta等期刊的审稿人；2024年7月进入赤峰学院物理与智能制造工程学院工作。

学术成果：

[1] Li Ang, Wang Chong, Xu Shengrui, et al. Lattice-matched AlInN/GaN multi-channel heterostructure and HEMTs with low on-resistance [J]. Applied Physics Letters, 2021, 119(12):122104. (SCI二区)

[2] Li Ang, Wang Chong, He Yunlong, et al. GaN-based super-lattice Schottky barrier diode with low forward voltage of 0.81 V [J]. Superlattices and Microstructures, 2021, 156:106952. (SCI三区)

[3] Li Ang, Wang Chong, Zheng Xuefeng, et al. Multichannel AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode with Low Turn-On Voltage and On-Resistance [J]. Phys. Status Solidi A, 2022, 219(13):2200194. (SCI四区)

[4] Li Ang, Wang Chong, He Yunlong, et al. Investigation of Three-Channel Heterostructure and High-Electron-Mobility Transistor with Quaternary In_0.1Al_0.5Ga_0.4N Barrier [J]. Phys. Status Solidi A, 2024, 2400239. (SCI四区)

[5] Li Ang, Wang Chong, Zheng Xuefeng, et al. Study on High-Linearity Devices Based on Double-Channel AlGaN/GaN FinFET Structure [C]. 2022 19th China International Forum on Solid State Lighting & 2022 8th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS). 2023, pp: 104-106. (国际会议EI)

[6] Li Ang, Wang Chong, Zheng Xuefeng, et al. Half-FinFET Based on Double-Channel AlGaN/GaN Heterostructure [C]. 2023 20th China International Forum on Solid State Lighting & 2023 9th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS). 2023, pp: 230-232. (国际会议EI)

[7] Zhang Wentao, Li Ang, Wang Chong, et al. Simulation study for anode engineering of AlGaN/GaN double-channel hybrid anode Schottky barrier diode[J]. Micro and Nanostructures, 2024, 191:207849. (SCI三区)

[8] Zhang Wentao, Li Ang, Wang Chong, et al. Investigation for the Temperature Dependence of 2D Electron Gas Behaviors in GaN-based Multichannel Heterostructures Systems.[J]. Adv. Mater. Interfaces, 2025, 2500030. (SCI三区)

参与科研项目：

[1] 国家自然科学基金项目: 晶格匹配的InAlN/GaN异质结多沟道高线性度器件研究, 2020年1月至2023年12月, 负责具体的版图设计和器件流片工艺.

[2] 国家自然科学基金项目: 多沟道InAlGaN/GaN高线性增强型毫米波Fin-HEMT器件研究, 2021年1月至2023年12月, 负责具体的版图设计和器件流片工艺.